JEDEC正式发布HBM3内存标准：6.4Gb/s速率 819GB/s带宽 16-Hi堆栈

（来自：JEDEC 官网）

据悉，HBM3 运用了创新方案，旨在带来更高带宽、更低功耗、以及更密集的单位容量，能够极大推动图形处理、高性能计算和服务器等领域的使用体验。

以下是 HBM3 的主要特点：

● 在经过验证的 HBM2 架构的基础上进一步扩展带宽，将每个引脚的速率提升一倍（定义 6.4 GB/s），以实现 819 GB/s 的高带宽。

● 将独立通道数从 HBM2 时代的 8 个提升至 16 个，且每个通道都有两组“伪通道”（Pseudo Channels），意味 HBM3 可虚拟支持 32 通道。

● 支持 4-Hi、8-Hi、12-Hi 的硅通孔（TSV）堆栈，并为将来的 16-Hi 方案实现做好了准备。

● 支持每层 8~32 Gb 的容量密度，可轻松支持 4GB（8Gb 4-Hi）到 64GB（32Gb 16-Hi）设备密度，预计初代产品将基于 16Gb 存储层。

● 为满足市场对高平台层级的可靠性、可用性与可维护性（简称 RAS）需求，HBM3 还一如了强大的、基于符号的片上 ECC，以及实时错误报告和透明度。

● 通过在主机接口端使用低摆幅（0.4V）信号和较低的工作电压（1.1V），来进一步提升能效表现。

截图（viaWCCFTech）

英伟达技术营销总监兼 HBM 小组委员会主席 Barry Wagner 表示：

凭借增强的性能与可靠属性，HBM3 将为需要巨大带宽和容量的新应用提供有力的支撑。

美光高性能内存与网络事业部副总裁兼总经理 Mark Montierth 则称：

HBM3 将使行业攀上更高的性能巅峰，提升可靠性并降低能耗。

美光将凭借先进内存堆叠和封装方面的资深经验，来引领后续的计算平台市场。

SK 海力士 DRAM 产品企划副总裁 Uksong Kang 补充道：

随着 HPC 与 AI 应用的不断进步，对更高性能和能效的需求增长，也较以往进一步加速。

随着 JEDEC HBM3 标准的正式颁布，SK 海力士期待着通过增强型 ECC 方案，为客户提供兼具高性能、最佳能效和更高稳定性的 DRAM 产品。

SK 海力士很高兴能够与行业合作伙伴携手共建强大的 HBM 生态系统，最终为我们的客户提供 TSG 和 TCO 方面的更高价值。

Synopsys IP 与战略营销副总裁 John Koeter 亦表示：

十多年来，Synopsys 一直是 JEDEC 的积极贡献者，帮助推动了 HBM3、DDR5、LPDDR5 等先进内存接口在一系列新兴应用中的开发和采用。

Synopsys 的 HBM3 IP 和验证解决方案，已被公司客户率先采用。通过加速新接口与高性能 SoC 的集成，还有助于具有高内存带宽和能效的多芯片系统级封装的设计与研发。

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