中芯国际公布核心技术家底:最新55nm已研发成功
中芯国际成功开发了 0.35 微米至 FinFET 的多种技术节点,主要应用于逻辑工艺技术平台与特色工艺技术平台。
2022 年上半年,多个平台开发按计划进行,稳步导入客户,正在实现产品的多样化目标。
报告期内,55 纳米 BCD 平台第一阶段已完成研发,进入小批量试产。
其他在研的工艺还包括FinFET衍生技术平台、22纳米低功耗工艺平台、28纳米高压显示驱动工艺平台、40纳米嵌入式存储工艺平台、4XNOR Flash工艺平台等等,都是国内领先的工艺水平,适用于智能家居、消费电子、AMOLED屏幕、汽车电视、电源管理、虚拟显示等等领域。
根据中芯国际所说,截至本报告期内,累计申请专利18347个,获得批准的专利累计12778个,研发人员总数1864人,占公司员工总数9.6%,平均薪酬为15.4万元。
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